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      • 漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

      650

      导通（tōng）电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

      170

      导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

      190

      最大漏极电流Id(on)(A)：

      20

      驱动电压(V)：

      10

      通道（dào）极性：

      N沟道

      封装/温（wēn）度(℃)：

      TO-220F-3L/-55~125

      描述：

      650V,190mΩ,20A,N沟道基于超级结（jié）技（jì）术的功（gōng）率MOSFET


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