leyu





      • 漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

      600

      导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

      100

      导通电阻（zǔ）rDS(on)(mΩ)(Max.)：

      125

      最（zuì）大漏极电流Id(on)(A)：

      30

      通道极性：

      N沟道

      封装/温度（dù）(℃)：

      TO-247-3L/-55~125

      描述：

      600V,125mΩ,30A,N沟道（dào）基于超级结（jié）技（jì）术的功率（lǜ）MOSFET


      leyu

      leyu