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      • 漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

      550

      导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

      170

      导通电（diàn）阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

      190

      最大漏极电流Id(on)(A)：

      20

      通道极（jí）性（xìng）：

      N沟道（dào）

      封装/温度(℃)：

      TO-263-2L(D2PAK)/-55~125

      描（miáo）述：

      550V,190mΩ,20A,N沟道基于超级结（jié）技术（shù）的功率MOSFET



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