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      • 漏（lòu）源电（diàn）压BV DSS (V)(Min.)：

      650

      导（dǎo）通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

      480

      导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

      600

      最大漏极（jí）电流Id(on)(A)：

      7

      通（tōng）道极性：

      N沟道（dào）

      封装/温度(℃)：

      TO-251-3L/-55~125

      描（miáo）述：

      650V,600mΩ,7A,N沟道基于超（chāo）级结技术的功率MOSFET


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