leyu





      • 漏源（yuán）电压BV DSS (V)(Min.)：

      650

      导（dǎo）通电阻（zǔ）rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

      70

      导通电（diàn）阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

      74

      最大漏极电流Id(on)(A)：

      47

      通道极性：

      N沟道

      封装/温度(℃)：

      TO-263-2L(D2PAK)/-55~125

      描述：

      650V,74mΩ,47A,N沟道（dào）基（jī）于超（chāo）级结技术的功率MOSFET



      leyu

      leyu