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      • 漏源电（diàn）压（yā）BV DSS (V)(Min.)：

      550

      导（dǎo）通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

      110

      导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

      140

      最大漏极电流Id(on)(A)：

      25

      通道极性：

      N沟道

      封装/温度(℃)：

      TO-220F-3L/-55~125

      描述（shù）：

      550V,140mΩ,25A,N沟道基于超级结技术（shù）的功率MOSFET


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