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      • 漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

      600

      导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

      65

      导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

      70

      最大（dà）漏极（jí）电流Id(on)(A)：

      47

      通（tōng）道极性：

      N沟道（dào）

      封装/温度（dù）(℃)：

      TO-220F-3L/-55~125

      描述：

      600V,70mΩ,47A,N沟道基于超级结（jié）技术的功率（lǜ）MOSFET



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