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      • 漏源电（diàn）压BV DSS (V)(Min.)：

      650

      导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

      700

      导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

      850

      最大漏（lòu）极电（diàn）流（liú）Id(on)(A)：

      5

      驱动电（diàn）压(V)：

      10

      通道极（jí）性：

      N沟道（dào）

      封装（zhuāng）/温（wēn）度(℃)：

      DPAK-3/-55~125

      描述：

      650V,850mΩ,5A,N沟（gōu）道基（jī）于超级结技术的功率MOSFET


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