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      • 漏源电（diàn）压BV DSS (V)(Min.)：

      600

      导（dǎo）通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

      110

      导通电阻（zǔ）rDS(on)(mΩ)(Max.)：

      130

      最大漏极电流Id(on)(A)：

      30

      通道极性：

      N沟道（dào）

      封装/温度(℃)：

      TO-247-3L/-55~125

      描（miáo）述（shù）：

      600V,130mΩ,30A,N沟道基于超级结技术的功率MOSFET


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