leyu





      • 漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

      600

      导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

      110

      导通电（diàn）阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

      130

      最大漏极电（diàn）流Id(on)(A)：

      30

      通道极性：

      N沟道

      封（fēng）装/温度(℃)：

      TO-220F-3L/-55~125

      描述：

      600V,130mΩ,30A,N沟道基（jī）于超级结（jié）技术的功（gōng）率MOSFET


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