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      • 漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

      650

      导（dǎo）通（tōng）电阻（zǔ）rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

      480

      导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

      600

      最大漏极（jí）电（diàn）流Id(on)(A)：

      7

      通道极性：

      N沟道（dào）

      封（fēng）装/温度(℃)：

      PDFN5*6/-55~125

      描述：

      650V,600mΩ,7A,N沟道基（jī）于超级（jí）结技术的（de）功率MOSFET


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