CW32L010系列产品是（shì）基于 eFlash 的单芯片低（dī）功耗（hào）微控制器（qì），集（jí）成了主频高达 48MHz 的 ARM® Cortex®-M0+ 内核、高速（sù）嵌入式存（cún）储器（多至 64K 字节 FLASH 和多至 4K 字节 SRAM）以及一系列全面（miàn）的增强型外设（shè）和（hé） I/O 口（kǒu）。

内部框图

所有型号都提供全套的（de）通信接口（kǒu）（二路（lù） UART、一（yī）路（lù） SPI 和一路 I2C）、12 位高速（sù） ADC、四组通（tōng）用和基本定时器、一组（zǔ）低功耗（hào）定时器以及一组高级控（kòng）制 PWM 定时器。

CW32L010 可（kě）以在 -40℃到 85℃的（de）温度范围（wéi）内工（gōng）作（zuò），供电电压宽（kuān）达 1.62V ~ 5.5V。支（zhī）持 Sleep 和 DeepSleep两种低（dī）功耗工作模式CW32L010 可以在 -40℃到 85℃的（de）温度范围内工（gōng）作，供（gòng）电（diàn）电压宽（kuān）达（dá） 1.62V ~ 5.5V。支持 Sleep 和DeepSleep两种低功耗工作模式（shì）。

确保（bǎo）高访问速度：可确（què）保指（zhǐ）令（lìng）的快速执行，满足（zú）实时性要求高的应用场景。

易（yì）于升级迭代：在同等成本（běn）下，扩大存（cún）储容（róng）量，为用户提供同级最宽裕的（de）程序（xù）和非易失（shī）存储空间，使（shǐ）得产品在面临功能升级或（huò）迭代时，能够（gòu）更加灵活地进行（háng）软件更新和扩展。

减少（shǎo）EEPROM依赖：通过提供充足的非易失（shī）性存储（chǔ），减（jiǎn）少了对外部EEPROM的依赖，降低了系统成本和复杂性。

耐用性更高：Flash擦写寿（shòu）命高（gāo）达10,000次，符合标杆（gǎn）要求，确保了产品（pǐn）的（de）长期稳定运行。

2、黑客级代码（mǎ）安全防护

在微控制器（MCU）领域，保（bǎo）护用户的代码（mǎ）和知识产权（quán）至关重要（yào）。CW32L010系列（liè）MCU，以其创新的安（ān）全特（tè）性，为用户提供了一（yī）个坚不可摧的代码保护解决方案。

尽（jìn）管目前（qián）大多数MCU都支持多（duō）种（zhǒng）安全等级，阻止（zhǐ）通过SWD/ISP接口读取（qǔ）Flash内容（róng）。但通过下载间谍程序，用挟持（chí）内核的方（fāng）式对Flash指令区做（zuò）数据访问一般（bān）都被允许。

CW32L010系列（liè）产品（pǐn）可以阻止这个入侵，我们允许用户（hù）划定一（yī）块指令存储（chǔ）区（qū）域，只能通过指（zhǐ）令总线取指令执行，不允许（xǔ）通过数据总线（xiàn）访问数据。在（zài）这个区域内（nèi），即使攻（gōng）击（jī）者（zhě）尝试通过下载间谍程（chéng）序（xù）挟持内核，也无法访（fǎng）问这块被保护的（de）存储区域。用户可以将包含敏（mǐn）感算法和关键功（gōng）能的代（dài）码（mǎ）库存（cún）储在该区域，确（què）保这些核（hé）心资产只（zhī）能被调（diào）用（yòng），无法被复制（zhì）或篡改。

超低功耗工（gōng）作（zuò）模式非常多，一（yī）般用（yòng）户较关注待机电流（liú）（常温（wēn）/高（gāo）温）、全（quán）速运行电流（liú）等（děng）几个主要指（zhǐ）标。

CW32L010采用特别工艺制（zhì）程，将待（dài）机电流控制在0.3uA，高温待机电流（liú）是竞品（pǐn）平（píng）均水平（píng）的1/4~1/8。

5、RTC补偿精度是0.060ppm，支持亚秒级（jí）读数

CW32L010在设计时对（duì）RTC补偿机制进行了优化，可（kě）选择32，128，256秒（miǎo）为一个补偿（cháng）周期，最精细的（de）补偿（cháng）精度（dù）可（kě）达到0.060ppm，支持亚（yà）秒级（jí）读数。

6、全面升级（jí）的（de）低功耗串口，支持LIN、RS485硬件（jiàn）使能

低（dī）功（gōng）耗串口（kǒu）接收数据可（kě）灵（líng）活配置接口电平，可产生关键字（zì）中断（duàn）和帧超时（shí）中（zhōng）断，支（zhī）持LIN、RS485硬件使能、TXD和RXD互换及（jí）内部回环功能、LSB/MSB硬件转换。

7、85℃ Latch Up测试成绩优异，闩锁（suǒ）门限测试成绩（jì）高达（dá）±600mA

在MCU的设计和应用（yòng）中，静电放电（ESD）的防（fáng）护能力是衡（héng）量产（chǎn）品可靠（kào）性的（de）重要指（zhǐ）标之一。其（qí）中高温（wēn）Latch Up（闩锁）测（cè）试可以说明一定问（wèn）题，CW32L010在（zài）高温（wēn）Latch Up（闩锁）测（cè）试中表现出色，闩锁（suǒ）门限测试（shì）成绩高达±600mA，远高于（yú）行业一般水平（píng），相比（bǐ）竞品一般水平（píng）为3~6倍。强大的（de）ESD防护能（néng）够保护MCU内（nèi）部数据不受静（jìng）电放电的影响以及（jí）在各种环境下的长期稳定（dìng）运行。

8、16路ADC输（shū）入（rù）2M采样率，采样保（bǎo）持时间可独立（lì）配置（zhì）

9、内部时钟源特性（xìng）无（wú）惧挑（tiāo）剔

CW32L010系列产品（pǐn）提供 QFN20、TSSOP20、SOP16 三种不同的封装（zhuāng）形式（shì），不同封（fēng）装的产品（pǐn）所（suǒ）能实现的（de）功能有（yǒu）所不同，具体（tǐ）情况如下表所示：

 CW32L010 家族产品（pǐn）功能列表