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      • 漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

      600

      导（dǎo）通电阻（zǔ）rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

      75

      导（dǎo）通（tōng）电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

      90

      最大（dà）漏（lòu）极电流Id(on)(A)：

      40

      通道极性：

      N沟（gōu）道

      封装/温度(℃)：

      TO-247-3L/-55~125

      描述（shù）：

      600V,90mΩ,40A,N沟道（dào）基于超级结（jié）技术的功率MOSFET


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